RTS-3型手持式四探針(zhēn)測(cè)試儀(yí)是(shì)運(yùn)用四(sì)探(tàn)針測(cè)量(liáng)原(yuán)理的(dí)多用途綜(zōng)合測量設(shè)備(bèi)。該儀器(qì)按照(zhào)單晶矽物理(lǐ)測試(shì)方(fāng)法國家(jiā)標準並(bìng)參考美(měi)國 A.S.T.M 標準而設計(jì)的，於測(cè)量矽(guī)晶塊(kuài)，晶(jīng)片電阻率及擴散(sàn)層，外延層(céng)，ITO導(dǎo)電(diàn)箔(bó)膜(mó)，導(dǎo)電(diàn)橡(xiàng)膠等材料方塊(kuài)電阻(zǔ)的小型儀器。
儀(yí)器(qì)采(cǎi)用(yòng)了電(diàn)子技術進行設(shè)計，裝(zhuāng)配(pèi)。具(jù)有(yǒu)功能選擇直觀，測(cè)量取(qǔ)數快，精度高(gāo)，測量(liáng)範圍(wéi)寬，穩定性好，結構緊湊，易操(cāo)作等(děng)特點(diǎn)。如(rú)有需要(yào)可(kě)加配(pèi)測試台使(shǐ)用(yòng)。
本儀器(qì)適(shì)用(yòng)於半導體(tǐ)材料廠，半(bàn)導(dǎo)體器件廠(chǎng)，科(kē)研(yán)單位(wèi)，高等院校(xiào)對半導(dǎo)體材料(liào)的電(diàn)阻性能(néng)測試(shì)。
技術參(cān)數(shù)：
測(cè)量(liáng)範圍(wéi) | 電阻率：0.01～1999.9Ω.cm； 方塊(kuài)電(diàn)阻：0.1～19999Ω/□； |
恒(héng)流源(yuán) | 電流(liú)量程(chéng)分(fēn)為(wéi)100μA，1mA兩檔(dàng)，兩檔(dàng)電流(liú)連續(xù)可(kě)調 |
數(shù)字電(diàn)壓(yā)表(biǎo) | 量程(chéng)及表示形式：000.00～199.99mV； 分(fēn)辨力：10μV； 輸(shū)入阻抗：>1000MΩ； 精(jīng)度：±0.1%； 顯示：以(yǐ)大屏(píng)幕LCD顯(xiǎn)示讀(dú)數(shù)，直觀(guān)清晰(xī)；極(jí)性，超量(liáng)程自(zì)動顯示(shì)； |
四(sì)探針(zhēn)探(tàn)頭基(jī)本(běn)指(zhǐ)標(biāo) | 間距：1±0.01mm； 針(zhēn)間(jiān)絕(jué)緣(yuán)電阻(zǔ)：≥1000MΩ； 機械遊(yóu)移(yí)率(shuài)：≤0.3%； 探(tàn)針：碳(tàn)化鎢或(huò)高速(sù)鋼Ф0.5mm； 探(tàn)針(zhēn)壓力(lì)：5～16 牛頓(總力)； |
四探(tàn)針(zhēn)探(tàn)頭(tóu)應(yīng)用(yòng)參數 | (見探(tàn)頭(tóu)附帶(dài)的(dí)合(hé)格證) |
模(mó)擬電阻(zǔ)測量相對(duì)誤(wù)差 | 1Ω，10Ω，100Ω小於(yú)等於0.3%±1字(zì) |
整機(jī)測量zui大相對(duì)誤差(chà) | (用(yòng)矽標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5% |
整(zhěng)機(jī)測(cè)量(liáng)標準不確定度 | ≤5% |
外型尺寸 | 185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高(gāo)) |
重量 | 350g |
電源(yuán) | 鋰(lǐ)電池(chí)，一次充電可連(lián)續使(shǐ)用(yòng)100小時； |
標準(zhǔn)使(shǐ)用環境(jìng) | 溫度(dù)：23±2℃； 相對濕(shī)度：≤65%； 無高頻(pín)幹擾(rǎo)； 無(wú)強光(guāng)直(zhí)射； |
| 配置 | 四探針測試儀主機(jī)，四(sì)探針探頭 | 8500/套 | ||||||
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